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突破“卡脖子”技术:​中国高纯铝钪合金靶材技术突破与供应链安全保障​

Time:2025-09-24      Type:靶材科普      Views:2509      source:本站

引言:无论是4G还是5G通信,射频芯片都是不可或缺的核心组件。它的作用是将通信信号转换为特定波形的无线电波,并通过天线进行收发。射频芯片涵盖多个关键部分,包括功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、天线开关、滤波器以及双工器等。其中,滤波器又主要分为声表面波滤波器(SAW)和体声波滤波器(BAW)两类。

在5G时代,BAW滤波器的作用尤为突出。然而,该市场长期被美国企业垄断——博通(Broadcom)占据87%的市场份额,Qorvo占8%,两家合计高达95%,其他厂商难以进入竞争。

BAW滤波器的重要性此前并未引起广泛关注,因其主要用于射频前端,普通消费者感知较弱。但随着5G通信频段向2GHz以上扩展,BAW滤波器在提升信号抗干扰能力、优化通信质量方面发挥着不可替代的作用。


上篇文章《射频滤波器:5G时代的幕后工程师》中,我们深入探讨了射频滤波器作为5G信号“交通警察”的核心作用。其性能的优劣,直接决定了智能手机、基站等设备的信号接收质量和速度。而制造高性能滤波器(尤其是SAW和BAW滤波器)的关键基础材料——高品质的钪掺杂压电薄膜,其制备离不开一种更为关键的“源头材料”:铝钪靶材(Al-Sc)和氮化铝钪靶材(AlScN)

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一、5G通信与BAW滤波器技术背景

5G通信的GHz级带宽远超现有蜂窝网络,需采用体声波(BAW)技术开发新一代射频滤波器。BAW滤波器作为压电声学谐振器,其频率和带宽由压电材料特性、薄膜厚度及电极结构决定,相比传统声表面波器件具有更高谐振频率和品质因子。

目前常用压电材料包括ZnO、PZT和AlN,其中AlN因兼容CMOS工艺且无污染风险,已成为主流。近年来AlN薄膜技术持续成熟并应用于通信领域,Sc掺杂AlN因其显著增强的压电性能成为研究热点。

二、技术突破:从实验室到量产

研究表明,掺杂35 at% Sc的AlN可以使压电性能Keff²提升至15.5%,是纯AlN的keff²(6%)的2.6倍,其最大相对宽度也由3%提升至7.7%。而后者对于已经分配的新的更宽的5G带宽尤为重要,并能带来更多通信频段的益处。且由于钪元素提取难度高、材料配比工艺复杂,此前全球仅少数海外企业掌握量产技术。江西科泰新材料通过自主创新,攻克了高纯钪的稳定掺杂、靶材均匀成型等关键技术,产品性能达到国际领先水平,填补了国内产业链空白。

江西科泰的铝钪靶材已通过泛林(lam)公司的严苛测试,并应用于其半导体设备制造流程。泛林作为全球领先的晶圆设备供应商,采用国产靶材,既是对材料可靠性的认可,也为国产半导体材料进入国际供应链打开了突破口。

三、国产替代的“破局”意义

在全球半导体产业链重构的背景下,关键材料的自主可控至关重要。江西科泰新材料的量产成果提供了三方面价值:

1.成本优化:国产靶材可降低采购成本30%以上,缓解下游厂商压力;

2.供应安全:打破日美企业垄断,保障国内5G/6G产业链稳定;

3.技术迭代:为下一代高频器件(如GaN-on-AlScN)研发奠定基础。

新工厂鸟瞰图.png


目前,江西科泰新材料正与国内等多个企业推进深度合作,未来有望在更多半导体制造环节实现国产替代。这一突破不仅展现了我国在高端材料领域的创新能力,也为全球半导体产业格局注入了新的变量。