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产品中心
PRODUCTS
钽掺氮化硼靶材（Ta-BN）
| 钽掺氮化硼靶材（Ta-BN）基本信息 | |
| 分子式 | Ta-BN |
| 纯度 | 99.9% |
| CAS号 | |
| 摩尔质量 | |
| 密度 | |
| 熔点 | |
| 沸点 | |
| 溶解性（水） | |
钽掺氮化硼靶材（Ta-BN）产品概况
| 钽掺氮化硼靶材（Ta-BN）产品应用 |
高纯钽溅射靶材广泛应用于电子信息产品制造业中，钽可作为集成电路中铜与硅基板的阻隔层材料,以防止铜与硅扩散生成铜硅合金影响电路性能，采用钽靶材通过物理气相沉积技术溅射钽到硅片上。掺杂的氮化硼薄膜具有、介电常数小、寄生电容小、工作温度高、抗高能粒子辐射、耐腐蚀等优点,且材料的击穿电压较高,使得器件更适合在高温、强辐射等恶劣环境下稳定工作。
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