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银硅靶材(Ag-Si)

银硅靶材(Ag-Si)
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银硅靶材(Ag-Si)基本信息
分子式Ag-Si
纯度99.9%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性(水)

银硅靶材(Ag-Si)产品概况

        Ag-Si靶材采用区域悬浮超纯硅(≥99.99999%)及电子束精炼银(≥99.999%),通过超急速共晶定向凝固(10⁷ K/s)工艺制备的量子互连/等离激元双功能靶材。核心特性包括:

纳米共晶复合结构(Ag₂Si相尺寸 8-25nm,层间距 30±3nm)

超低互连电阻(界面电阻 ≤1.5×10⁻¹⁰ Ω·cm²,电流承载力 **>10⁸ A/cm²**)

可控等离激元响应(局域场增强因子 **>10⁵**,共振波长 400-1600nm可调)

自旋极化输运(自旋注入效率 **≥75%**,自旋扩散长度 **>150nm**)
在磁控溅射中实现量子芯片互连线延时≤0.1ps/mm,表面增强拉曼(SERS)检测极限达单分子级,突破后摩尔时代电互连瓶颈-光学衍射极限。

核心价值源于光-电-自旋协同

➊ 量子互连革命

·超低传输损耗(微波衰减 <0.05dB/mm@100GHz)

·超高带宽密度(布线密度**>5Tbps/mm?**)

➋ 光子芯片增强

·片上激光发射(Purcell因子**>200**,阈值电流 <1μA)

·亚波长光操控:(波导传输损耗 <0.1dB/um)

➌ 极端集成特性

·亚原子级界面(银硅互扩散深度<0.3nm)

·300°C热稳定性(硅迁移抑制率 **>99%**


银硅靶材(Ag-Si)产品应用

◉ ​量子芯片制造​
▸ 超导量子比特耦合层(品质因数 ​Q>10⁶)
▸ 自旋量子比特电极(退相干时间 ​T₂*≥150μs)
◉ 光子集成电路​
▸ 硅光调制器等离子接触层(带宽 ​**>200GHz**)
▸ 拓扑光子波导(单向传输效率 ​**>99.9%​**)
◉ 超灵敏检测​
▸ 病毒SERS检测芯片(检测限 ​10⁻²⁰ M)
▸ 单分子蛋白质测序基底(信噪比 ​**>50dB**)
◉ 神经形态器件​
▸ 光突触权重层(脉冲能耗 ​​<0.1fJ/spike)
▸ 脑机接口电极(阻抗 ​​<1kΩ@1kHz)

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