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钨钛合金靶材（W-Ti）

钨钛合金靶材（W-Ti）
  • 钨钛合金靶材（W-Ti）
钨钛合金靶材（W-Ti）基本信息
分子式W-Ti
纯度99.99%
CAS号58397-70-9
摩尔质量231.707
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

钨钛合金靶材（W-Ti）产品概况

        本靶材采用纳米级钨粉（≥99.995%）与氢化脱氢钛粉（≥99.98%）经 等离子旋转电极制粉（PREP）→ 热等静压扩散键合（HIP-DB）→ 磁控结构集成 工艺制备的 高端半导体与防护涂层核心材料。核心特性：

•梯度复合结构（钛含量 1-30at.%，层间扩散带 ＞8μm）

•纳米等轴晶组织（晶粒尺寸 0.5-5μm，孪晶密度 ＞10⁴/mm²）

•超低氧残留（O ＜50ppm，C ＜20ppm，N ＜30ppm）

•超高密度（相对密度 ＞99.95%，闭孔率 ＜0.03vol%）
    在直流磁控溅射中实现 膜层电阻率＜55μΩ·cm（Ti 10at.%时），结合力 ＞45MPa（硅基衬底）

核心价值源于W-Ti的能带/界面工程突破

➊ 半导体金属化革命

•铜扩散阻挡能垒 >5.0eV(较TaN提升 40%)

•台阶覆盖率 >95%(深宽比 50:1，3nm节点关键指标).

➋ 极端力学防护

·纳米硬度 >38GPa(膜厚 2um，HF1级附着力)

•耐热震性能 >1000次(AT=800℃℃，涂层无剥落) 

➌ 智能热管理

•热膨胀系数匹配度 ΔCTE<3%(vs. SiC)

•溅射热阻 <10-5K·m2/W(高功率溅射稳定性保障)


钨钛合金靶材（W-Ti）产品应用

主导应用场景与性能突破​
1. ​先进半导体制造​
▸ 3nm以下节点铜互连阻挡层（漏电流 ​​＜10⁻⁸A/cm²@3MV/cm）
▸ X86 CPU籽晶层（电阻不均匀性 ​WIWNU＜2%​）
2. ​超硬涂层领域​
▸ 刀具类金刚石（DLC）过渡层（膜基结合力 ​＞50N，切削寿命 ​↑300%​）
▸ 航天发动机抗烧蚀涂层（氧乙炔烧蚀率 ​​＜0.05mm/s）
3. ​光学精密镀膜​
▸ EUV光刻机掩模版吸收层（13.5nm吸收率 ​**＞65%​**）
▸ 红外窗口增透膜（3-5μm波段透过率 ​＞99%​）
4. ​柔性电子系统​
▸ 柔性OLED阳极（弯折10万次电阻变化 ​​＜3%​）
▸ 可穿戴设备电磁屏蔽层（屏蔽效能 ​＞80dB@10GHz）

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