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铌三锗靶材（Nb3Ge）

铌三锗靶材（Nb3Ge）
  • 铌三锗靶材（Nb3Ge）
铌三锗靶材（Nb3Ge）基本信息
分子式Nb3Ge
纯度99.95%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

铌三锗靶材（Nb3Ge）产品概况

        铌三锗合金（Nb₃Ge）靶材采用核纯级铌粉（≥99.99%）与区域熔炼锗（≥99.999%）为原料，通过超高真空非平衡磁控溅射+原位退火工艺制备的A15型超导溅射靶材。核心特性包括：

•精准化学计量控制（Nb:Ge=3:1±0.3at.%）

•高度有序晶体结构（A15相占比＞99%，长程有序度S＞0.98）

•超低杂质浓度（O＜30ppm，C＜20ppm，Fe＜1ppm）

•理论密度＞99.2%（晶界扩散通道＜10nm）
     在低温溅射（300-400℃）中实现 薄膜超导临界温度Tc=23.2K±0.3K，4.2K临界电流密度 Jc＞10⁷A/cm²@12T。

核心价值源于A15相量子相干调控

➊ 超导性能极限突破

·超导能隙 2Δ,=7.5meV(强耦合系数入=1.8，BCS理论2倍

·上临界磁场 HC,(0)>45T(现存高温超导材料最高纪录)

➋ 极端环境稳定性

·抗中子辐照(100dpa后Jc保持率>85%)

·磁场下临界电流衰减 dJc/dB<3x10³A/cm?.T(聚变堆级稳定性)

➌ 量子级界面性能

·约瑟夫森结隧穿电流密度 Js>10'A/cm?(量子比特核心参数)

·微波表面电阻 RS<5μΩ@10GHz/4.2K(超导腔基准指标)


铌三锗靶材（Nb3Ge）产品应用

◉ ​量子计算核心组件​
▸ 超导量子比特谐振腔（品质因数 ​Q＞5×10⁹，退相干时间 ​**＞200μs**）
▸ 拓扑量子比特电极层（马约拉纳零能模存活率 ​**＞99.9%​**）
◉ ​核聚变能源系统​
▸ 托卡马克超导磁体线圈（临界场强 ​**＞35T@4.2K**）
▸ 聚变堆中心螺线管线圈（磁场强度 ​**＞15T**，储能 ​**＞50GJ**）
◉ ​前沿大科学装置​
▸ 高能粒子加速器超导腔（加速梯度 ​**＞50MV/m**）
▸ 核磁共振谱仪超导磁体（磁场均匀性 ​​＜0.1ppm/cm³）
◉ ​极限探测系统​
▸ 暗物质探测超导隧道结（能量分辨率 ​​＜0.1eV）
▸ 深空引力波探测天线（应变灵敏度 ​​＜10⁻²³/√Hz）

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