科泰新材料可提供“元索周期表”近乎全元素(除放射性元素外)的任意组合材料定制,
部分产品未及时更新,特殊定制需求请咨询客服。
铝钪合金靶材(AlSc)基本信息 | |
分子式 | AlSc |
纯度 | 99.9% |
CAS号 | |
摩尔质量 | |
密度 | |
熔点 | |
沸点 | |
溶解性(水) |
低钪(<10at%)含量的铝钪合金靶材:AlSc5at%铝钪合金靶材,AlSc9at%的铝钪合金靶材。
高钪(≥10at%)含量的铝钪合金靶材:科泰已经开发出 AlSc17.5at%铝钪靶材, AlSc22.5at%铝钪靶材,AlSc30at%用于制备氮化铝掺钪(ScAlN)压电薄膜,满足5G射频滤波器、MEMS传感器等高频器件的性能需求,靶材纯度≥99.99%,氧含量控制在≤1000 ppm,直径>300mm的大直径铝钪合金靶材。
铝钪合金靶材(AlSc)产品应用 |
1. 铁电存储器件
氮化铝钪薄膜凭借其高温稳定性和可逆极化特性,成为下一代非易失性存储器的核心材料。其铁电性能在含氢气氛和600℃高温下仍能保持稳定,解决了传统铁电材料(如PZT)在高温工艺中易失效的问题,适用于高密度数据存储和低功耗存储芯片。
2. 压电MEMS器件
高频声学传感器与滤波器:AlScN薄膜的压电常数(d33)显著高于纯氮化铝,机电耦合系数(kt²)可达6.8%以上,支持更高频率(如5G射频滤波器)和更灵敏的声波器件(如超声波换能器)。
能量采集器:通过机械振动能量转化为电能,应用于物联网设备的自供电系统。
3. 半导体与先进封装
外延衬底技术:通过优化AlN/ AlScN异质外延结构,降低薄膜应力积聚,减少晶圆翘曲,提升半导体外延片良率1。
芯片散热:作为高导热材料,用于5G芯片封装中的散热层,降低局部热点温度15%-20%,替代传统有机材料以延长器件寿命。
4. 航空航天与军工领域
AlScN薄膜的高耐热性和抗氧化性,可应用于航空发动机涡轮叶片表面涂层,增强部件抗高温氧化能力,延长使用寿命。
技术发展趋势:随着掺钪浓度调控和沉积工艺的优化(如宙讯微电子的磁控溅射技术),AlScN薄膜在微型化、高频化和高可靠性器件中的渗透率将持续提升。