铝硅靶材(Al-Si)Product overview

         铝硅合金（Si 10-50at.%）靶材采用电子级铝锭（≥99.999%）与区熔提纯硅（≥99.9999%）为原料，通过真空感应熔炼+急速定向凝固工艺制备的共晶功能溅射靶材。核心特性包括：

•精密共晶控制（硅相尺寸0.1-2μm，共晶点Si12.6%±0.2%）

•超低杂质水平（Na/K<0.1ppm，Fe<3ppm，O<30ppm）

•理论密度＞99.3%（闭孔率<0.02%）

•晶向优化（（111）面织构度＞90%，半导体工艺兼容）
•在DC/RF磁控溅射中实现膜层电阻率3-10μΩ·cm可调，阶梯覆盖性**＞95%**（深宽比5：1结构）。

核心价值源于铝硅共晶协同效应

➊ 亚微米级互连集成

•电迁移阈值**>107A/cm?(比纯铝提升100倍)

•线宽缩微能力≤0.1um**((适配3nm制程节点)

➋ 光电热三重复合特性

·太阳吸收比α=0.92-0.96(全光谱优化)

·热膨胀系数(4.5±0.2)x10-“/K(硅衬底完美匹配)

·塞贝克系数**>150uV/K**(微温差发电)

➌ 极端环境可靠性

·抗电化学迁移能力**>1000h@85°℃/85%RH**

·450°C退火相变稳定性(晶粒尺寸变化<10%)

◉ ​先进半导体制造​
▸ 3D-NAND存储单元垂直互联导线（深宽比10：1填充）
▸ FinFET栅极侧墙自对准接触层（漏电流​＜10⁻¹⁰A/μm）
◉ ​薄膜光伏技术​
▸ 异质结太阳电池（HJT）纳米晶硅背反射电极（短路电流**＞40mA/cm²**）
▸ 钙钛矿/硅叠层电池隧穿复合层（电压损失​＜0.05V）
◉ ​微系统热管理​
▸ 2.5D封装硅中介层热扩散膜（热阻​＜0.2℃·cm²/W）
▸ 功率器件铜柱凸块抗电迁移阻挡层
◉ ​智能传感系统​
▸ MEMS红外探测器吸收层（比探测率**＞10¹⁰ Jones**）
▸ 微能源收集热电薄膜（功率密度**＞20μW/cm²@ΔT=10K**）