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钪镓合金靶材(Sc-Ga)

钪镓合金靶材(Sc-Ga)
  • 钪镓合金靶材(Sc-Ga)
钪镓合金靶材(Sc-Ga)essential information
Molecular formulaSc-Ga
purity99.9%
CAS No
Molar mass
density
melting point
boiling point
Solubility (water)

钪镓合金靶材(Sc-Ga)Product overview

        钪镓合金(ScₓGa₁ₓ,x=0.1-0.3)靶材采用航空级钪(≥99.995%)与超纯液态镓(≥99.9999%)为原料,通过低温等离子合金化+超高压热压(5GPa)工艺制备的量子功能溅射靶材。核心特性包括:

•拓扑电子态精密调控(Sc/Ga原子比偏差<0.3%)

非晶-纳米晶复合结构(局域有序畴尺寸 1-3nm)

极限氧含量控制(O<10ppm, C<5ppm)

理论密度>99.0%(无宏观偏析)
在低温磁控溅射(77K)中实现薄膜超导临界温度Tc=9.2K,拓扑表面态载流子迁移率**>50,000cm²/V·s**(2K)。

核心价值源于钪的强自旋轨道耦合与镓的拓扑保护机制

➊ 颠覆性量子特性

·超导能隙 2Δ/kBTcx4.56(超越BCS理论预言的强耦合态)

·量子振荡频率 Fx=200T(特征费米面存在证明)

➋ 极端环境稳定性

·临界磁场 Hc₂(0)>50T(超越Nb;Sn 300%)

·抗辐照损伤阈值**>1017neutrons/cm2**(核聚变堆级)

➌ 多重量子调控

·电场诱导拓扑相变阈值<1MV/cm

·白旋霍尔角 0.>0.4(自旋电子器件核心指标)


钪镓合金靶材(Sc-Ga)Product application

◉ 下一代量子计算机​
▸ 拓扑量子比特载体层(马约拉纳费米子局域化长度 ​​<100nm)
▸ 超导量子芯片互联层(品质因数 ​Q>1×10⁷)
◉ ​聚变反应堆系统​
▸ 磁约束线圈多场稳定层(Jc(4.2K,20T) ​**>50kA/mm²**)
▸ 等离子体第一壁抗中子辐照涂层(氚滞留率 ​​<0.01%​)
◉ ​超导电力网络​
▸ 液氢温区输电带材(77K临界电流 ​**>10⁴A/cm-width**)
▸ 超导故障限流器功能层(响应时间 ​​<1ms)
◉ ​自旋量子传感​
▸ 皮特斯拉级脑磁图传感膜(灵敏度 ​0.1pT/√Hz)
▸ 暗物质探测自旋相互作用界面层

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