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产品中心
PRODUCTS
二硼化钒（VB2）靶材
| 二硼化钒（VB2）靶材基本信息 | |
| 分子式 | VB₂ |
| 纯度 | 99.5% |
| CAS号 | 12007-37-3 |
| 摩尔质量 | 72.56 g/mol |
| 密度 | 5.10 g/cm³ |
| 熔点 | ~2450–2600℃ |
| 沸点 | |
| 溶解性（水） | 不溶 |
二硼化钒（VB2）靶材产品概况
二硼化钒（VB₂）基本性能
① 基本标识
项目 | 内容 |
|---|---|
化学式 | VB₂（二硼化钒） |
CAS No. | 12007-37-3 |
分子量 | 72.56 g/mol |
晶体结构 | 六方晶系，AlB₂型（P6/mmm），a≈3.00 Å，c≈3.06 Å |
理论密度 | 5.10 g/cm³ |
② 热学性能
项目 | 数值 |
|---|---|
熔点/分解 | ~2450–2600℃（V–B 相平衡，略低于 TiB₂/ZrB₂） |
导热系数 | 20–50 W/(m·K)（室温） |
热膨胀系数（CTE） | (5–6)×10⁻⁶/K（25–1000℃） |
空气中抗氧化上限 | ~800–900℃（V₂O₅ 熔 690℃→液态氧化层，较差） |
真空/Ar 使用上限 | 长期 ≤700–800℃；短时 ~1000℃ |
③ 力学/物理性能
项目 | 数值 |
|---|---|
维氏硬度（HV） | 18–24 GPa |
弹性模ulus（E） | 380–420 GPa |
断裂韧性（K_IC） | ~3.0–3.5 MPa·m¹ᐟ² |
泊松比 | ~0.14–0.18 |
④ 电学/超导性能
项目 | 数值 |
|---|---|
电阻率（室温块体） | 15–60 µΩ·cm（半金属行为，随致密度/缺陷变化） |
超导转变温度（Tc） | 块体 ~2–5 K；优质薄膜可达 ~6 K |
Seebeck | 小负（n‑型金属/半金属） |
⑤ 化学性能
项目 | 说明 |
|---|---|
水/稀酸 | 不溶 |
热浓 HNO₃ / HF | 可溶/分解（V 氧化溶出为 VO²⁺/VO₂⁺） |
熔融 NaOH/KOH | 分解（碱熔） |
粉吸湿/氧化 | V 易氧化→VOₓ 表壳，需 Ar 手套箱保存、配料 |
| 二硼化钒（VB2）靶材产品应用 |
二硼化钒（VB₂）薄膜属于功能性二硼化物薄膜，和你之前问的 TiB₂（硬质）、ZrB₂（UHTC）、TaB₂/WB₂（阻挡/Plasma 耐蚀）定位不同——它的核心价值在超导/功能特性 + 中温扩散阻挡，工业硬质涂层不是主战场。
① 超导 / 功能薄膜研究（最主要）
VB₂ 块体 Tc≈2–5 K，高质量薄膜 Tc 可达 ~6 K，是 MgB₂ 之外研究较多的二硼化物超导体
用于：
超导隧道结、弱连接器件原型研究
与 MgB₂、TaB₂ 对比的超导机理 / 电子结构研究
应变/掺杂效应对 Tc 影响的基础物理实验
⚠ 仍属实验室研究材料，无规模化超导器件应用（Tc 偏低）
② 中温扩散阻挡层研究
VB₂ 在真空/Ar 中 ~700–800℃ 可保持相稳，作 Cu/Al–Si/SiO₂ 间中温势垒层备选
B 可捕获微量 O，对轻度氧化有容忍
耐温低于 TaN/TaB₂，高于有机阻挡，适合中端功率器件或研究验证
③ 硬质/耐磨保护膜（次要）
HV 18–24 GPa，低于 TiB₂，可做轻负荷耐磨膜或过渡层
因 V 易氧化（V₂O₅ 低熔 690℃），空气中耐氧化仅 ~800℃，限制高温耐磨使用
④ 热电 / 传感器功能膜研究（小众）
半金属导电行为 + B 空位可调载流子浓度 → 少数报道用于气体传感（H₂/CO 敏感）或热电参数测试
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