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产品中心
PRODUCTS
二硼化钨（WB2）靶材
| 二硼化钨（WB2）靶材基本信息 | |
| 分子式 | WB₂ |
| 纯度 | 99.5% |
| CAS号 | 12007-01-1 |
| 摩尔质量 | 205.66 g/mol |
| 密度 | 10.8–12.7 g/cm³ |
| 熔点 | 分解/共存 ~2900–3100℃ |
| 沸点 | |
| 溶解性（水） | 不熔 |
二硼化钨（WB2）靶材产品概况
二硼化钨（WB₂ 名义，W–B 复相）基本性能
① 基本标识
项目 | 内容 |
|---|---|
常用标示 | WB₂（名义二硼化钨），实际烧结/商用靶材多得 WB + W₂B₅ 复相（W–B 相图无宽 WB₂ 单相区） |
CAS（参考） | WB₂ 文献用 12007-01-1；W₂B₅：12007-29-3 |
分子量（WB₂ 计量） | 205.66 g/mol |
晶体结构 | 六方 AlB₂ 型衍生（WB₂ 近似）/ 正交（W₂B₅）；a≈3.03 Å，c(WB)≈16.9 Å，(W₂B₅)六方 c≈11.0–11.4 Å |
理论密度 | ~11.0–12.0 g/cm³（依相，平均 ~11.5 g/cm³，仅轻于 TaB₂） |
② 热学性能
项目 | 数值 |
|---|---|
熔点/分解 | WB ~2860℃；W₂B₅ 分解 ~3100℃；名义 WB₂ 配料烧结至 ~2900–3100℃ 共存 |
导热系数 | 30–60 W/(m·K)（室温，低于 TiB₂/ZrB₂） |
热膨胀系数（CTE） | (4–5)×10⁻⁶/K（25–1000℃） |
空气中抗氧化上限 | ~900–1000℃（→ WO₃ + B₂O₃） |
真空/Ar 使用上限 | 长期 ≤1800℃；短时 ~2200℃ |
③ 力学/物理性能
项目 | 数值 |
|---|---|
维氏硬度（HV） | 25–35 GPa（高硬，近 TiB₂） |
弹性模ulus（E） | 550–620 GPa |
断裂韧性（K_IC） | 3.5–5.0 MPa·m¹ᐟ²（W 金属增韧效应，略优于 ZrB₂） |
泊松比 | ~0.18–0.21 |
④ 电学性能
项目 | 数值 |
|---|---|
电阻率（室温块体） | 15–40 µΩ·cm（金属性，W 主导） |
Seebeck | 小负（n‑型金属行为） |
超导 Tc | 极弱（W 基，无实用 Tc） |
⑤ 化学性能
项目 | 说明 |
|---|---|
水/稀酸（HCl/HNO₃） | 不溶 |
HF | 可溶（W⁶⁺ → [WF₈]²⁻ / [WF₇]⁻ 配位） |
热浓 H₂SO₄/HNO₃ | 缓慢氧化分解 |
熔融 NaOH/KOH | 分解（碱熔） |
粉吸湿 | 弱（比 ZrB₂ 粉好），但 B 组分可表氧化→控 O |
| 二硼化钨（WB2）靶材产品应用 |
二硼化钨（通常指标称 WB₂ 靶材，实际沉积 W–B 复相膜，含 WB + W₂B₅）薄膜用途和 TiB₂/ZrB₂/TaB₂ 有区别——它钨含量高、密度大、耐 Plasma 侵蚀强，主打硬质保护 + 耐离子轰击电极/面对材料，具体如下：
① 硬质/耐磨/抗冲蚀保护膜
显微硬度 HV 25–35 GPa，膜致密时对基底有良好耐磨、抗微冲蚀能力
可用于切削刀具、微型模具、高精度机械零件表面 W–B 基硬质膜或 WB₂/TiN 多层膜
比 TiB₂ 韧性略好（W 金属相增韧），但内应力大，通常膜厚 ≤2 µm
② 耐 Plasma / 离子轰击侵蚀膜（重要特色）
W 基高熔点 + B 增强硬度 → 极低溅蚀率，优于 Ta、Ti 基膜 in 高能 Plasma / 反应性气体环境
用于：
半导体 Etch/CVD 腔室内部件（模拟件/小件）耐 Plasma 涂层
聚变装置/粒子探测器第一壁候选涂层材料（研究级）
这是 WB₂ 膜相比 TiB₂/ZrB₂ 最具差异化优势的方向
③ 高温/腐蚀环境电极膜
电阻率 15–40 µΩ·cm（膜致密度依赖），可作：
真空/熔盐/惰气环境高温加热器电极
溅ter 系统内局部加热电极（耐阳极化/离子轰击）
优于 Cu/Au/Pt 在含卤素/硫/硼 气氛中耐蚀
④ 扩散阻挡层研究（小众）
W–B 膜热稳至 ~900–1000℃（真空），可作 Cu/Al–Si 间高温阻挡层备选（研究阶段，量产仍 TaN 为主）
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