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锑化铬靶材(CrSb)

锑化铬靶材(CrSb)
  • 锑化铬靶材(CrSb)
锑化铬靶材(CrSb)基本信息
分子式CrSb₃
纯度999%、99.95%
CAS号无独立 CAS 号
摩尔质量417.28 g/mol
密度6.79 g/cm³
熔点约 620 ℃
沸点不存在沸点,加热优先分解,Sb 单质挥发流失,物相改变
溶解性(水)不溶于水;可被稀酸、氧化性酸腐蚀;在潮湿空气中会缓慢氧化、锑析出

锑化铬靶材(CrSb)产品概况

CrSb₃是富锑铬锑金属间化合物,属于低温热电材料,晶体结构为菱方 / 复杂多晶结构。 制备难点:Sb 蒸气压高,粉体合成、烧结、溅射全过程都容易发生 Sb 挥发,极易出现杂相(游离 Sb、CrSb),很难得到纯单相 CrSb₃。 制备路线:高纯铬粉 + 高纯锑粉按原子比 1:3 配料,惰性气氛固相反应合成 CrSb₃粉体;SPS 低温快速烧结(降低 Sb 挥发)。 靶材形态:圆形 / 矩形小尺寸平面科研靶,产量极低;可绑定无氧铜背板。 核心质控指标:物相纯度、致密度、氧碳间隙杂质、Sb 含量损失率;溅射过程组分漂移是最大痛点。

锑化铬靶材(CrSb)产品应用

薄膜应用:
1. 中低温热电薄膜材料(最主要):CrSb₃是典型 p 型热电材料,300℃以下具有良好热电优值;用于微型热电发电机、余热回收薄膜、薄膜热电制冷器件研究。
2. 红外探测器芯片微型温控薄膜:用于红外探测阵列的薄膜制冷层科研验证。
3. 热电传感器、微纳能量收集器件,MEMS 自供电传感薄膜研发。
4. 锑化物半导体、低维功能薄膜基础物性研究。

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