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| 硒化锡靶材(SnSe)essential information | |
| Molecular formula | SnSe |
| purity | 99.9%、99.99、99.999% |
| CAS No | 1315‑06‑6 |
| Molar mass | 197.67 g/mol |
| density | 6.18 g/cm³ |
| melting point | 861 ℃,高温真空下 Se 易挥发流失,造成成分偏移 |
| boiling point | 无常压沸点,高温真空条件下升华分解 |
| Solubility (water) | 不溶于水;可溶于王水、热浓硝酸;不溶于稀酸、常规有机溶剂 |
硒化锡靶材为灰黑色正交晶系层状硬脆半导体靶材,以高纯锡、高纯硒为原料,真空封管化合合成 SnSe 化合物,再经热压 / 热等静压烧结、精密机加工制成溅射靶材。 材料脆性大,加工、搬运易崩边;烧结、溅射过程硒元素极易挥发,靶材生产对烧结温度、气氛管控严格,保障 Sn‑Se 化学计量比;常温干燥环境相对稳定,高温有氧环境会氧化生成氧化锡、二氧化硒杂质,需要真空密封储存。
| 硒化锡靶材(SnSe)Product application |
薄膜应用:
1. 热电薄膜(核心):SnSe 是高性能 p 型热电材料,磁控溅射制备 SnSe 基热电薄膜,用于微型温差发电芯片、废热回收器件、微型制冷器件,热电优值 ZT 很高。
2. 二维层状材料科研:制备正交相 SnSe 二维薄膜,用于层状半导体、铁电、各向异性输运特性的实验室研究。
3. 红外光电器件:窄带隙半导体,制备红外光敏薄膜、红外光电探测器,适配红外波段光电器件研发。
4. 薄膜光伏、柔性电子科研:环保无重金属,用于薄膜太阳能电池、柔性光电器件实验室研发,异质结薄膜制备。
5. 储能材料研究:锂电、钠电池负极薄膜材料的 PVD 科研开发。
6. 半导体器件研发:p 型半导体薄膜,用于场效应晶体管、非易失存储器件的科研实验。