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四硒化锗靶材(GeSe4）

四硒化锗靶材(GeSe4）
  • 四硒化锗靶材(GeSe4）
四硒化锗靶材(GeSe4）基本信息
分子式GeSe4
纯度99.999%
CAS号无独立 CAS 号
摩尔质量388.43 g/mol
密度约 4.2~4.4 g/cm³
熔点无明确熔点；玻璃转化温度 Tg 约 160~180℃，高温易软化、硒挥发分解
沸点常压无沸点，高温下 Se 优先挥发，组分失配
溶解性（水）不溶于水、乙醇；不耐强氧化剂，遇浓硝酸、双氧水会氧化分解；可被强碱缓慢侵蚀

四硒化锗靶材(GeSe4）产品概况

GeSe₄四硒化锗靶，硫系非晶玻璃，外观深灰近黑色致密脆性固体，由高纯 Ge、Se 单质真空封管熔融、保温均匀化、水淬得到玻璃锭，再切割研磨加工成靶坯。

  • 制备工艺：熔融淬冷法（melt-quenching），区别于粉末冶金陶瓷靶；

  • 致密度：接近理论全致密，无孔隙，溅射掉颗粒少；

  • 产品形态：圆靶、方靶；铟焊绑定 Cu 背板；射频磁控溅射为主；

  • 薄膜特性：红外宽波段高透过，高折射率，光敏感性强，可光诱导相变 / 结构变化；


四硒化锗靶材(GeSe4）产品应用

薄膜应用：
1. 红外光学薄膜：红外镜头、红外窗口、红外光纤薄膜、红外波导，中远红外高透硫系光学膜层。
2. 相变存储 / 阈值开关器件：交叉阵列存储、Ovonic 阈值开关，高密度神经形态存储、忆阻器薄膜。
3. 非线性光学：红外非线性光学涂层、激光光学元件，红外超连续谱器件。
4. 光电探测器：红外光电传感、光开关、红外成像器件光敏薄膜。
5. 科研：硫系玻璃、光子学、二维硫系材料、红外光子学薄膜基础研究。

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