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二硫化钼靶材（MoS2）

二硫化钼靶材（MoS2）
  • 二硫化钼靶材（MoS2）
二硫化钼靶材（MoS2）基本信息
分子式MoS2
纯度99.9%
CAS号1317-33-5
摩尔质量160.070
密度5.06 g/mL at 25 °C(lit.)
熔点2375 °C
沸点450ºC, 升华
溶解性（水）难溶于水

二硫化钼靶材（MoS2）产品概况

        二硫化钼靶材（MoS₂）是以高纯钼（Mo）与硫（S）为原料，通过化学气相传输（CVT）与层状定向烧结技术制备的二维层状半导体靶材，纯度≥99.99%，密度≥5.06 g/cm³。其具备超低摩擦系数（μ≤0.02）、宽禁带可调性（1.2-1.9 eV）及优异光电响应（载流子迁移率≥200 cm²/(V·s)），适配磁控溅射、脉冲激光沉积（PLD）等工艺，用于沉积固体润滑涂层、柔性晶体管沟道层及光电催化薄膜。产品通过精准化学计量比（S/Mo=2.00±0.01）、亚纳米层厚控制（单层≤0.65nm）及低缺陷密度（硫空位＜10¹⁶ cm⁻³），满足微机电系统（MEMS）、柔性电子及氢能产业对高性能二维材料的严苛需求，是纳米摩擦学与半导体器件的核心镀膜材料。
二硫化钼靶材（MoS2）产品应用

二硫化钼靶材（MoS₂）凭借其原子级润滑性、可调半导体特性及卓越环境稳定性，成为极端机械系统、柔性电子与清洁能源领域的变革性材料。
1.固体润滑：航天器机械臂真空润滑涂层（磨损率＜10⁻⁷ mm³/(N·m)）。
MEMS微齿轮抗粘着镀层（寿命＞10⁸次循环）。
2.柔性电子：可折叠OLED背板TFT沟道层（迁移率≥30 cm²/(V·s)）。
皮肤电子应变传感器的导电-柔性复合层。
3.能源催化：电解水制氢催化剂载体（过电位η₁₀≤200mV）。
锂硫电池多硫化物阻隔层（穿梭效应抑制率＞90%）。
4.光电探测：宽谱（400-1000nm）自驱动光电探测器。
太赫兹波调制器的超快响应层。

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