钨硅靶材(WSi)Product overview

        钨硅靶材采用电子束熔炼钨粉（≥99.995%）与半导体级多晶硅（≥99.9999%），通过反应等离子烧结（RPS）+热等静压（HIP）工艺制备的超高温互连功能靶材。核心特性包括：

•纳米晶相调控（Si 15-40at.%精准可控，WSi₂相占比≥95%）

•原子级扩散壁垒（W/Si界面过渡层 ≤1.2nm）

•超低氧污染（O<15ppm，C<8ppm，金属杂质<0.1ppm）

•极端热稳定性（熔融硅中溶解度 <0.001wt.% @1500℃）
•在磁控溅射中实现膜层接触电阻 ≤3.5μΩ·cm²**，抗电迁移寿命**＞10⁷h@3MA/cm²**，突破3nm芯片互连技术极限。

核心价值源于硅化物纳米屏蔽效应

➊ 芯片级互连性能

•超低界面电阻(Co/wSi,势垒高度 ≤0.12ev)

·量子隧穿抑制(漏电流密度 <10-"A/cm'@0.5V)

➋ 极端工艺耐受

•抗原子层蚀刻(ALE工艺选择比 **>100:1 vs.SiO,**)

•热预算兼容性(耐快速热退火 ≤1200°C/1ms)

➌ 量子级热管理

•热膨胀精准匹配(CTE:4.2x10-6/K，匹配Si±5%)

•声子输运调控(界面热导 **>120MW/m²K**)

◉ ​3nm以下逻辑芯片​
▸ GAA晶体管接触孔填充（电阻均匀性 ​σ<2%​）
▸ 背面供电网络（BDN）通孔（深宽比 ​**>20：1**无空洞）
◉ ​高端存储芯片​
▸ DRAM存储节点隔离层（漏电抑制 ​**>1000倍 vs.TiN**）
▸ 3D NAND阶梯接触孔（台阶覆盖均匀性 ​**>95%​**）
◉ ​功率半导体器件​
▸ SiC MOSFET肖特基接触（耐压强度 ​**>1700V**）
▸ GaN HEMT场板金属化（热阻 ​​<0.5K·mm/W）
◉ ​量子计算芯片​
▸ 超导量子比特屏蔽层（微波损耗 ​​<10⁻⁶光子/脉冲）
▸ 自旋量子比特电极（磁噪声 ​​<1nT/√Hz）