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产品中心
PRODUCTS
硅化铬靶材(CrSi2)
| 硅化铬靶材(CrSi2)基本信息 | |
| 分子式 | CrSi2 |
| 纯度 | 99.95% |
| CAS号 | 12017-94-6 |
| 摩尔质量 | 108.17 g/mol |
| 密度 | 108.17 g/mol |
| 熔点 | ~1490–1550℃ |
| 沸点 | |
| 溶解性（水） | 不溶于水 |
硅化铬靶材(CrSi2)产品概况
CrSi₂ 薄膜基本性能（六方 C40 相，成熟结晶态）
① 电学/热电性能（薄膜核心）
项目 | 数值 | 备注 |
|---|---|---|
电阻率（室温，C40‑CrSi₂ 膜） | 200–600 µΩ·cm（半导体/窄带隙行为，随 T↑略↓） | 远高于 TiSi₂(15–25)；随 O 杂相↑而剧增 |
Seebeck 系数 α（300K） | +(100–180) µV/K（p‑型） | 高温(600–800K)可达 +200～+250 µV/K |
功率因子 PF=α²/ρ | ~(1–3)×10⁻³ W/(m·K²)（室温膜），高温可达 ~(4–6)×10⁻³ | |
载流子类型 | p‑型（空穴主导） | 与 TiSi₂/MoSi₂ 金属行为不同 |
带隙 Eg | ~0.25–0.35 eV（间接） | 薄膜略受应力调制 |
⚠ 未完全结晶或 O 污染（Cr₂O₃）→ α↓、ρ↑→ 热电性能劣化
② 结构/相（薄膜）
项目 | 内容 |
|---|---|
稳定相 | 六方 C40（P6₂22），a≈4.428 Å，c≈6.356 Å |
沉积→结晶 | 通常 RF 溅 CrSi₂ 靶 → 室温非晶/纳米晶 → 真空/Ar 退火 700–900℃×30–60 min 获 C40 相 |
XRD 鉴定（C40） | (101)2θ≈28.5°，(110)2θ≈38.5°，(103)2θ≈47.5°（Cu‑Kα）；残 Cr/Si 峰示未反应 |
应力（退火后 Si 基） | 通常为压应力 100–300 MPa（CTE_CrSi₂ > CTE_Si） |
③ 热学性能（膜）
项目 | 数值 |
|---|---|
热导率（κ，膜） | 15–30 W/(m·K)（室温，晶格主导；纳米晶/纳米复合可降至 <10） |
CTE | (7–9)×10⁻⁶/K（25–800℃） |
空气中抗氧化（膜） | >700–800℃ 表层 Si 氧化→连续 SiO₂ 保护层（自愈合），适合高温 TE 使用 |
④ 力学性能（膜，纳米压入）
项目 | 数值 |
|---|---|
硬度（膜） | HV ~800–1100（载荷 0.5 kg 换算，高于 TiSi₂） |
弹性模ulus E | ~300–340 GPa |
附着强度（Si 基） | 良好（划痕临界 Lc>30–50 N 退火后） |
⑤ 化学稳定性（膜）
选择性：不溶于稀酸；热浓 HNO₃+HF 分解（Si→H₂SiF₆，Cr³⁺ 溶）
大气稳定：中低温稳；高温需防 O 入引起 Cr₂O₃ 杂相降 TE 性能
溅后膜忌长时间 HF 浸泡（Si 组元蚀出麻点）
| 硅化铬靶材(CrSi2)产品应用 |
二硅化铬（CrSi₂）薄膜, CrSi₂ 是p 型半导体硅化物（ρ=200–600 µΩ·cm），不做 IC 低阻接触，主打热电/功能薄膜研究 + 高温抗氧化保护膜，具体如下：
① 热电（TE）薄膜研究【最主要】
CrSi₂ 块体 Seebeck α=+100～+250 µV/K（p‑型），高温（500–850℃）空气稳定（SiO₂ 自保护）
薄膜用于：
p‑型支路热电微发生器原型（与 n‑型 Mg₂Si、β‑FeSi₂ 或 doped MnSi₁.₇₃ 配对）
参杂/纳米复合（CrSi₂/Si 超晶格、CrSi₂+SiO₂ 纳米复合）提升 ZT 值研究
柔性/硅基微热电发电机（µTEG）功能层（小众，多为研究）
② 高温抗氧化 / 扩散阻挡膜（小众）
CrSi₂ 膜（或 CrSi₂+MoSi₂ 梯度膜）溅/涂于 Mo、W、C/C 复合材料 → 空气中 >700℃ 富 Si 表生成连续 SiO₂ → 基体抗氧化
作 中温（≤600℃）扩散阻挡层研究（CrSi₂/TiN 叠层介于 Cu/Al‑Si），短时稳但电阻高于 TaN/TaB₂
③ 欧姆接触研究（化合物半导体，次要）
与 GaN、SiC 形成 p‑型欧姆接触（高阻但热稳），远少于 TiSi₂ 在 Si‑CMOS 中应用
部分 III‑V 族器件局部 p‑接触层原型
④ 高温薄膜热电偶敏感层（极少）
CrSi₂ 与 Pt 或 NiCr 配对作 抗氧化薄膜热电偶（>600℃ 空气），利用高温稳定性
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