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钨硅合金靶材（WSi）

钨硅合金靶材（WSi）
  • 钨硅合金靶材（WSi）
钨硅合金靶材（WSi）基本信息
分子式WSi
纯度99.9%
CAS号12039-95-1
摩尔质量211.93 g/mol
密度14.40 g/cm³
熔点2320 ℃
沸点无明确沸点
溶解性（水）不溶于水；可被硝酸 + 氢氟酸混合酸（氟王水）腐蚀，常温耐弱酸、王水

钨硅合金靶材（WSi）产品概况

        钨硅靶材采用电子束熔炼钨粉（≥99.995%）与半导体级多晶硅（≥99.9999%），通过反应等离子烧结（RPS）+热等静压（HIP）工艺制备的超高温互连功能靶材。核心特性包括：

•纳米晶相调控（Si 15-40at.%精准可控，WSi₂相占比≥95%）

•原子级扩散壁垒（W/Si界面过渡层 ≤1.2nm）

•超低氧污染（O<15ppm，C<8ppm，金属杂质<0.1ppm）

•极端热稳定性（熔融硅中溶解度 <0.001wt.% @1500℃）
•在磁控溅射中实现膜层接触电阻 ≤3.5μΩ·cm²**，抗电迁移寿命**＞10⁷h@3MA/cm²**，突破3nm芯片互连技术极限。

核心价值源于硅化物纳米屏蔽效应

➊ 芯片级互连性能

•超低界面电阻(Co/wSi,势垒高度 ≤0.12ev)

·量子隧穿抑制(漏电流密度 <10-"A/cm'@0.5V)

➋ 极端工艺耐受

•抗原子层蚀刻(ALE工艺选择比 **>100:1 vs.SiO,**)

•热预算兼容性(耐快速热退火 ≤1200°C/1ms)

➌ 量子级热管理

•热膨胀精准匹配(CTE:4.2x10-6/K，匹配Si±5%)

•声子输运调控(界面热导 **>120MW/m²K**)


W-Si.png

钨硅合金靶材（WSi）产品应用

薄膜应用：
1. 新型半导体互连研发：用于下一代金属栅、局部互连薄膜研究；相比 WSi₂，钨含量更高，薄膜电阻率更低，适合低阻导电层科研验证。
2. 扩散阻挡层研发：作为硅与金属之间高温扩散阻挡薄膜，高温热稳定性优于 WSi₂，用于功率器件、MEMS 高温电极研究。
3. 高温抗氧化涂层：高钨含量，耐高温，用于航天、精密高温部件功能薄膜研发。
4. 微纳器件、热电薄膜科研实验。

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