氟化钪颗粒（ScF3）Product overview

       氟化钪靶材（ScF₃）是以高纯金属钪（Sc，纯度≥99.99%）为原料，通过真空氟化反应与热等静压烧结技术制备的稀土氟化物功能靶材，化学计量比Sc:F=1:3.00±0.02，理论密度3.86 g/cm³，实际密度≥3.70 g/cm³（相对密度＞95%），晶相为立方晶系（XRD验证）。其具有超宽光谱透过性（截止波长＜120 nm，透光范围120 nm-8 μm）、高热稳定性（熔点1550℃）及低电子散射特性（电阻率10³-10⁴ Ω·cm），适配磁控溅射（DC/RF）、离子束沉积（IBD）及分子束外延（MBE）工艺，广泛应用于极紫外（EUV）光刻、深紫外光学镀膜、超导薄膜及固态电解质领域。通过氧/碳杂质控制（O＜100 ppm，C＜50 ppm）、晶粒尺寸优化（微米级等轴晶）及表面等离子体处理（粗糙度Ra＜0.1 μm），满足高精度薄膜的均匀性、低缺陷密度及界面结合强度需求，助力半导体与新能源技术升级。

​氟化钪靶材（ScF₃）凭借其深紫外透过极限、高热稳定性及优异的界面兼容性，成为半导体光刻、超导器件及新能源领域的核心材料。
半导体与光刻技术​：EUV光刻机反射镜保护涂层（13.5 nm波段高反射率）。氮化镓（GaN）器件钝化层（降低界面态密度）。
​光学镀膜​：深紫外激光器增透膜（193 nm ArF准分子激光系统）。红外热成像系统减反射涂层（8-12 μm波段）。
​新能源器件​：全固态氟离子电池电解质薄膜（离子电导率＞10⁻⁴ S/cm @300℃）。高温燃料电池质子导体掺杂剂（提升氧离子迁移率）。
​前沿材料​：超导量子比特衬底（ScF₃/Al₂O₃异质结界面优化）。拓扑绝缘体薄膜生长缓冲层（晶格失配率＜1%）。