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氧化锡靶材(SnO2)

氧化锡靶材(SnO2)
  • 氧化锡靶材(SnO2)
氧化锡靶材(SnO2)基本信息
分子式SnO2
纯度99.99%
CAS号18282-10-5
摩尔质量150.71 g/mol
密度6.95 g/cm³
熔点1630 ℃
沸点1800~1900 ℃(升华,无液态沸腾)
溶解性(水)不溶于水、乙醇;可溶于热浓酸、热浓强碱

氧化锡靶材(SnO2)产品概况

氧化锡靶材为金红石型四方晶系氧化物陶瓷溅射靶,分纯 SnO₂靶、掺杂型靶(FTO 氟掺杂、ATO 锑掺杂);采用粉末烧结 / 热等静压 HIP 工艺制备,可做成平面靶、旋转管状靶,一般铟焊绑定无氧铜背板使用。 纯氧化锡本身为宽禁带半导体,本征电阻率偏高;通过掺杂 Sb、F 可大幅提升导电性能,是一类经典 TCO 透明导电陶瓷靶。靶材致密度高、化学稳定性好、耐酸碱、耐高温,溅射过程稳定性强,不易产生颗粒。

氧化锡靶材(SnO2)产品应用

薄膜应用:
1. 透明导电薄膜(TCO):FTO/ATO 靶制备透明导电膜,用于钙钛矿太阳能电池、薄膜太阳能电池、低辐射 Low-E 玻璃、触摸屏、电致变色器件。
2. 气敏传感器:SnO₂气敏薄膜,用于可燃气体、酒精、VOC 气体传感器。
3. 光学涂层:增透膜、红外反射膜、防静电透明涂层。
4. 其他:玻璃熔炼电极、半导体器件、防腐蚀涂层。

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