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氧化钴靶材(CoO)

氧化钴靶材(CoO)
  • 氧化钴靶材(CoO)
氧化钴靶材(CoO)基本信息
分子式CoO
纯度99.9%
CAS号1307-96-6
摩尔质量74.93 g/mol
密度6.45 g/cm³
熔点1935 ℃
沸点约 3800 ℃（高温下会发生还原分解，钴氧化物高温易失氧）
溶解性（水）不溶于水、乙醇、氨水；可溶于稀酸；可被热浓强碱缓慢腐蚀；高温下易被 CO、H₂还原为金属钴

氧化钴靶材(CoO)产品概况

氧化钴（CoO）靶材以高纯 CoO 粉体为原料，经粉体预处理、等静压成型、高温气氛烧结、精密机加工制成，灰色 / 橄榄绿色陶瓷靶材。

  • 晶体结构：立方晶系，反铁磁半导体，禁带宽度约 2.4 eV。

  • 形态：圆盘靶、矩形靶；脆性材质，溅射功率不宜过高，防止热震开裂；可绑定金属背板散热。

  • 质控关键点：单相 CoO，控制 Co₃O₄、金属钴杂相；致密度、晶粒均匀性；氧含量均匀度；靶材表面颗粒缺陷控制。

  • 特点：溅射工艺对氧分压敏感，氧分压变化会直接改变薄膜钴价态，影响薄膜电学、磁学性能。


氧化钴靶材(CoO)产品应用

薄膜应用：
1. 半导体与磁性薄膜：制备氧化钴磁性薄膜、自旋电子器件薄膜，磁存储、磁性隧道结，扩散阻挡层。
2. 电化学薄膜、锂电池相关薄膜：制备钴基氧化物电极薄膜，固态电池界面修饰层、电催化薄膜。
3. 气敏传感器：CoO 基气敏薄膜，检测还原性气体（乙醇、甲醛等）。
4. 光催化薄膜：可见光响应催化薄膜，污染物降解、光电化学研究。
5. 光电、显示器件：薄膜电阻、AMOLED 低反射电极层科研开发。
6. 基础科研：氧化物半导体、反铁磁材料、薄膜物理机理研究。

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