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一氧化硅靶材(SiO)

一氧化硅靶材(SiO)
  • 一氧化硅靶材(SiO)
一氧化硅靶材(SiO)基本信息
分子式SiO
纯度99.99%
CAS号10097‑28‑6
摩尔质量44.08 g/mol
密度44.08 g/mol
熔点1702 ℃
沸点1880 ℃
溶解性(水)不溶于水;溶于热浓碱、HF‑HNO₃混合酸;不溶于普通酸

一氧化硅靶材(SiO)产品概况

一氧化硅靶采用热压烧结 / 放电等离子烧结 SPS工艺制备,黑‑棕黑色多晶陶瓷固体,可加工圆靶、方靶;商用靶致密度≥95% 理论密度。 靶材绝缘,仅支持 RF 射频溅射,不可 DC 直流溅射。 材料本身热力学不稳定,高温下易歧化分解为单质硅与二氧化硅;溅射过程需要控制基底温度,抑制薄膜内部歧化反应。 SiO 薄膜折射率约 1.9‑2.1,介于 Si 与 SiO₂之间,是重要的光学介质膜材料。

一氧化硅靶材(SiO)产品应用

薄膜应用:
1. 光学镀膜:制备多层光学干涉膜、增透膜、分光镜、反射保护膜;可见光‑近红外波段光学涂层,镜片、光学元器件镀膜。
2. 锂电池负极薄膜:SiO 薄膜负极材料,高比容量,用于薄膜锂电池研发,是硅基负极重要体系。
3. 半导体与 MEMS:介质过渡层、钝化薄膜;SiO 薄膜兼具一定导电性与绝缘可调特性,用于微纳器件实验研发。
4. 显示器件:显示面板介电层、保护层薄膜;光学补偿膜层。
5. 防腐蚀、防潮保护层:金属、塑料基底防护涂层,膜层附着力好,阻隔水汽氧气。
6. 传感器:光学传感器、部分气敏器件的介质薄膜层。
7. 科研实验:非化学计量硅氧化物体系基础研究。

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