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氧化铟掺氧化钼(IMO)靶材 In2O3-MoO3

氧化铟掺氧化钼(IMO)靶材 In2O3-MoO3
  • 氧化铟掺氧化钼(IMO)靶材 In2O3-MoO3
氧化铟掺氧化钼(IMO)靶材 In2O3-MoO3基本信息
分子式In2O3-MoO3
纯度99.99%
CAS号无独立 CAS 号
摩尔质量随掺杂比例变化
密度7.1 g/cm³
熔点无单一熔点；基体 In₂O₃熔点约 1910 ℃；MoO₃熔点 795 ℃；高温下 MoO₃易挥发，烧结制备温度一般低于 1600℃
沸点无统一沸点；MoO₃常压 1155℃升华；In₂O₃高温分解
溶解性（水）难溶于水；In₂O₃可溶于强酸；MoO₃微溶于水，可溶于碱液生成钼酸盐；整块烧结靶耐弱酸弱碱，粉体可被浓酸 / 浓碱腐蚀

氧化铟掺氧化钼(IMO)靶材 In2O3-MoO3产品概况

IMO 靶材（MoO₃掺杂氧化铟靶材）是以高纯氧化铟粉体为基体，掺入少量高纯三氧化钼粉体，经球磨混粉、造粒、等静压成型、高温气氛烧结、机加工、绑定铜背靶制成的陶瓷溅射靶材。

  1. 掺杂机理：Mo⁶⁺取代 In₂O₃晶格中 In³⁺，提供自由电子，相比传统 ITO，载流子迁移率更高、近红外透过率更好、载流子浓度更低。

  2. 靶材形态：圆形、矩形、管状，可绑定无氧铜背板。

  3. 镀膜方式：射频磁控溅射为主，也可脉冲激光沉积。

  4. 薄膜特点：低电阻率、可见光 + 近红外高透光，薄膜热稳定性优于 ITO。


氧化铟掺氧化钼(IMO)靶材 In2O3-MoO3产品应用

薄膜应用：
1. 薄膜太阳能电池（最主流）：非晶硅、微晶硅、钙钛矿电池的前电极透明导电层，红外高透，提升电池光吸收与转换效率。
2. 光电子 / 红外器件：红外传感器、光电探测器的透明导电电极。
3. 柔性光电器件：低温可沉积，适合柔性 PET 基板，柔性触控、柔性 OLED 辅助导电层。
4. 光学镀膜：近红外光学窗口、光学减反 + 导电复合膜层。
5. 其他：电磁屏蔽透明导电膜、部分气敏器件电极。

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