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铈镓靶材(Ce-Ga)

铈镓靶材(Ce-Ga)
  • 铈镓靶材(Ce-Ga)
铈镓靶材(Ce-Ga)基本信息
分子式Ce-Ga
纯度99.9%
CAS号无独立 CAS
摩尔质量随配比变化
密度约 6.85 g/cm³
熔点无单一熔点
沸点无统一沸点
溶解性(水)不溶于水

铈镓靶材(Ce-Ga)产品概况

铈镓靶材为高纯 Ce-Ga 二元合金磁控溅射靶,以高纯金属铈、金属镓为原料,采用电弧熔炼 / 真空感应熔炼制备合金铸锭,经热锻、轧制、精密机加工,可采用 In 焊绑定铜背板;可定制圆靶、矩形靶、管状靶等多种形状。

  • 外观:银灰色金属,活性高,暴露空气表面快速氧化变暗;必须真空密封包装。

  • 核心特点:Ce 提供 4f 电子、氧空位、价态可调特性;Ga 是半导体金属,可调控薄膜电子结构、能带、载流子浓度;可自由调整 Ce/Ga 配比,调控薄膜磁性、电学、催化性能。


铈镓靶材(Ce-Ga)产品应用

薄膜应用:
1.自旋电子、量子材料科研:制备 Ce-Ga 金属间化合物薄膜,拓扑半金属、重费米子、稀土磁性薄膜,低温磁输运研究(CeGa₂是经典重费米子材料)。
2. 半导体与微纳薄膜研发:PVD 溅射制备稀土 - 镓复合功能薄膜,用于 MEMS、传感器、新型半导体界面层;Ga 可调控薄膜能带,Ce 引入 4f 局域磁矩。
3. 催化薄膜:制备 Ce-Ga 复合氧化物前驱薄膜,氧化后用于电催化、光催化、气体传感器敏感层,Ce 的氧空位 + Ga 掺杂协同提升催化活性。
4. 光电与光学薄膜研发:用于新型红外、紫外光学涂层研发,调控折射率与吸收特性,以科研实验为主。
5. 储能材料研究:固体电解质、电池界面改性薄膜实验室研究。

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