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钽硼氧靶材(TaBO)

钽硼氧靶材(TaBO)
  • 钽硼氧靶材(TaBO)
钽硼氧靶材(TaBO)基本信息
分子式TaBO
纯度99.5%
CAS号无固定CAS号
摩尔质量无固定摩尔质量
密度7.79~7.84 g/cm³
熔点无单一熔点
沸点无固定沸点
溶解性(水)不溶于水;常温耐弱酸、中性溶液;可被浓氢氟酸、熔融强碱缓慢腐蚀

钽硼氧靶材(TaBO)产品概况

钽硼氧(Ta-B-O)溅射靶材,由高纯氧化钽、氧化硼粉体按目标配比混合,经热压烧结 / SPS 放电等离子烧结制备的多元复合陶瓷靶材,主要用于射频磁控溅射制备 Ta-B-O 功能薄膜。

  • 微观结构:多相纳米复合结构,包含 TaB₂晶粒、Ta₂O₅与非晶 Ta-B-O 界面相;B:Ta:O 原子比例可在区间内定制调整;

  • 制备流程:粉体配料→球磨混料→烧结→精密磨削机加工,可绑定铜背板;支持圆靶、矩形靶,尺寸按需定制;

  • 材料特点:高介电常数、低漏电流、优异抗辐照、高温热稳定性好;溅射成膜均匀,颗粒少;

  • 供货形态:带铜背板溅射靶、无背板陶瓷毛坯、高纯 Ta-B-O 粉体。


钽硼氧靶材(TaBO)产品应用

薄膜应用
1. 先进半导体:GAA 晶体管高 k 介质层、RRAM 阻变存储器阻变层,低漏电流,适配先进制程器件研发。
2. 聚变 / 核能领域:聚变装置偏滤器防护薄膜、阻氚渗透阻隔层,耐高温、抗等离子体辐照。
3. 深空航天:航天器抗辐射封装薄膜、核热推进部件热障涂层,耐受高能电子辐照与热循环。
4. 量子器件:超导量子比特微波腔介质层、拓扑量子芯片界面介质薄膜(科研方向)。
5. 科研镀膜:实验室 PVD 磁控溅射,Ta-B-O 多元氧化物薄膜、介电薄膜机理研究。

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