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铬掺一氧化硅靶材(Cr-SiO)

铬掺一氧化硅靶材(Cr-SiO)
  • 铬掺一氧化硅靶材(Cr-SiO)
铬掺一氧化硅靶材(Cr-SiO)essential information
Molecular formulaCr-SiO
purity99.9%
CAS No
Molar mass
density
melting point
boiling point
Solubility (water)

铬掺一氧化硅靶材(Cr-SiO)Product overview

        铬掺一氧化硅 (Cr-SiO) 靶材是一种以高纯度铬(Cr)与一氧化硅(SiO)为原料,通过精确配比(如 Cr 含量:10~40 at.%)与先进粉末冶金工艺(如热压烧结 HP、等离子活化烧结 PAS 或热等静压 HIP)制备的复合陶瓷溅射靶材。该靶材具备极高的化学纯度(金属杂质 ≤10ppm)、优化的组分分布均匀性、优异的致密化程度(密度 >95% 理论密度)及稳定的非晶/微晶复合结构。这些特性确保其在磁控溅射(DC、RF、反应溅射)等物理气相沉积(PVD)工艺中:溅射稳定、膜层成分可控、附着力强、缺陷率低。

核心价值源于铬硅氧化合物薄膜中可调控的 光学与电学协同特性:

➊ 宽光谱可调折射率:

      薄膜的折射率(n)可在 1.7~3.5 范围内精密调控(依赖 Cr 含量与工艺),实现可见光至近红外波段的光学特性定制。

➋ 高效光热吸收能力:
      Cr 纳米团簇/硅氧化物基体形成的 光学“咖啡环”效应,赋予薄膜宽谱(尤其近红外)强吸收特性。

➌ 动态电致变色响应:
      Cr³⁺/Cr⁶⁺ 氧化还原活性位点协同硅氧网络,实现离子的快速嵌入/脱出,驱动显著且可逆的光学调制(透射率变化 ΔT >40%)。

➍ 可控导电性:
      通过 Cr 掺杂浓度调节,薄膜可在 绝缘体—半导体—类金属 性质间转变。

➎ 优异的环境稳定性:
      非晶硅氧基体有效隔绝环境侵蚀,Cr 元素以稳定化合物形式存在,确保薄膜长期耐久性。


铬掺一氧化硅靶材(Cr-SiO)Product application

◉ ​精密光学薄膜与涂层:​​
​• 多功能太阳光谱调控层:​​ 作为建筑幕墙/汽车玻璃夹层中的 ​阳光控制膜,兼具高可见光透射(VIS)与强近红外吸收(NIR),有效阻隔热量。
• ​宽谱增透/减反射膜(AR):​​ 用于相机镜头、光伏玻璃盖板,定制化匹配基底折射率。
​• 红外隐身/低发射率涂层:​​ 应用于航空航天装备或红外屏蔽材料表面(研究热点)。
◉ ​新一代智能窗(电致变色器件):​​
• ​离子存储/对电极功能层:​​ 作为电致变色器件的关键对电极层(替代传统 WO₃),提供高光学对比度、快速响应速度和长循环寿命(与 WO₃ 或 NiO 主电极层协同)。
​◉ 半导体与显示技术:​​
​• 薄膜电阻器/精密电阻层:​​ 用于集成电路或 MEMS 传感器的稳定电阻结构层(精准调控方阻)。
​• 微纳光学波导调谐层:​​ 在硅基光子器件中作为可调折射率介质层。
​◉ 功能性表面涂层:​​
​• 耐久性装饰涂层(如玫瑰金仿金属色):​​ 提供独特金属色泽及耐候性(替代贵金属)。
​• 电磁屏蔽薄膜(高 Cr 含量):​​ 用于电子设备外壳或柔性屏的透明导电层。

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