氮化硼靶材（BN）Product overview

氮化硼靶材是以高纯硼源（硼酐≥99.9%）和氮源（液氮或氨气）为原料，通过 高温高压合成（HPHT）、化学气相沉积（CVD） 或 先驱体热解 工艺制备的先进陶瓷材料，化学式BN，按晶型分为六方相（h-BN）、立方相（c-BN）及多孔变体（BNNTs纳米管）。其具备 超高导热（h-BN面内＞400 W/m·K）、超低介电（ε<4.0 @1 MHz）、高温润滑（摩擦系数＜0.02） 及 极端环境稳定性（＞2200℃惰性气氛） 特性，专用于高频芯片封装热管理、5G天线基板、金属加工润滑剂及核反应堆中子吸收材料。通过 晶型精准调控（h-BN与c-BN比例）、表面功能化修饰（羟基/氨基官能团） 及 多维结构构筑（纳米管/气凝胶/球霰石），满足极端散热、宽频透波及抗辐照场景对材料综合性能的严苛要求。

1.电子与热管理​
​高功率器件封装​：
h-BN填充硅脂（30 vol%）→ 结温降幅＞40℃（IGBT模块）
3D互连绝缘层：h-BN原子层沉积（20 nm）→ 漏电流＜10⁻⁸ A/cm²
​5G/6G天线基板​：
h-BN/液晶聚合物复合基板 → 介电常数3.2±0.1（28-100 GHz）
2.​先进制造与能源​
​超精密切削​：
c-BN-TiN复合刀具（10 vol% TiN）→ 加工Ra＜0.05 μm（镍基合金）
​核防护材料​：
¹⁰B富集BNNT/铝基复合材料 → 中子屏蔽率＞95%（厚度10 mm）
​3.极端环境润滑​
​高温轴承涂层​：
h-BN等离子喷涂层（200 μm）→ 摩擦系数0.15（800℃空气）
​金属成形脱模剂​：
h-BN水性分散液 → 减少模具磨损＞70%