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产品中心
PRODUCTS
氮化硅靶材（Si3N4）
| 氮化硅靶材（Si3N4）基本信息 | |
| 分子式 | Si3N4 |
| 纯度 | 99.99% |
| CAS号 | 12033-89-5 |
| 摩尔质量 | 140.28 g/mol |
| 密度 | 3.44 g/cm³ |
| 熔点 | 1900 ℃ |
| 沸点 | 常压无沸点，高温下分解升华 |
| 溶解性（水） | 不溶于水、稀酸、浓酸；可被熔融强碱腐蚀 |
氮化硅靶材（Si3N4）产品概况
氮化硅靶材为氮化物陶瓷靶，主要晶型分为 α-Si₃N₄、β-Si₃N₄；常采用热压烧结、气压烧结、HIP 热等静压工艺制备，可加工为圆形、矩形平面靶，可铟焊绑定无氧铜背板。 氮化硅具备高硬度、高绝缘、耐高温、低介电常数、优异耐化学腐蚀、抗辐照等特性；靶材电阻率高，只能使用射频 RF 磁控溅射。溅射所得氮化硅薄膜致密、针孔少，是微电子领域经典钝化 / 绝缘保护层。
| 氮化硅靶材（Si3N4）产品应用 |
薄膜应用：
1. 半导体芯片：晶圆钝化层、应力缓冲层、介质绝缘层、刻蚀硬掩膜层；MEMS 器件绝缘保护层。
2. 光电子 / 显示：OLED、Micro-LED 器件的阻挡层、防潮保护层，阻隔水汽氧气，延长器件寿命。
3. 光伏行业：晶硅太阳能电池的减反膜、钝化膜，提升电池光电转换效率。
4. 硬质防护涂层：刀具、精密零部件耐磨耐腐蚀保护膜。
5. 光学领域：红外光学元件、光学窗口的抗腐蚀保护涂层。
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