银硅靶材（Ag-Si）Product overview

        Ag-Si靶材采用区域悬浮超纯硅（≥99.99999%）及电子束精炼银（≥99.999%），通过超急速共晶定向凝固（10⁷ K/s）工艺制备的量子互连/等离激元双功能靶材。核心特性包括：

纳米共晶复合结构（Ag₂Si相尺寸 8-25nm，层间距 30±3nm）

超低互连电阻（界面电阻 ≤1.5×10⁻¹⁰ Ω·cm²，电流承载力 **＞10⁸ A/cm²**）

可控等离激元响应（局域场增强因子 **＞10⁵**，共振波长 400-1600nm可调）

自旋极化输运（自旋注入效率 **≥75%**，自旋扩散长度 **＞150nm**）
在磁控溅射中实现量子芯片互连线延时≤0.1ps/mm，表面增强拉曼（SERS）检测极限达单分子级，突破后摩尔时代电互连瓶颈-光学衍射极限。

核心价值源于光-电-自旋协同

➊ 量子互连革命

·超低传输损耗(微波衰减 <0.05dB/mm@100GHz)

·超高带宽密度(布线密度**>5Tbps/mm?**)

➋ 光子芯片增强

·片上激光发射(Purcell因子**>200**，阈值电流 <1μA)

·亚波长光操控:(波导传输损耗 <0.1dB/um)

➌ 极端集成特性

·亚原子级界面(银硅互扩散深度<0.3nm)

·300°C热稳定性(硅迁移抑制率 **>99%**

◉ ​量子芯片制造​
▸ 超导量子比特耦合层（品质因数 ​Q＞10⁶）
▸ 自旋量子比特电极（退相干时间 ​T₂*≥150μs）
◉ 光子集成电路​
▸ 硅光调制器等离子接触层（带宽 ​**＞200GHz**）
▸ 拓扑光子波导（单向传输效率 ​**＞99.9%​**）
◉ 超灵敏检测​
▸ 病毒SERS检测芯片（检测限 ​10⁻²⁰ M）
▸ 单分子蛋白质测序基底（信噪比 ​**＞50dB**）
◉ 神经形态器件​
▸ 光突触权重层（脉冲能耗 ​​＜0.1fJ/spike）
▸ 脑机接口电极（阻抗 ​​＜1kΩ@1kHz）