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铬硅靶材（Cr-Si）

铬硅靶材（Cr-Si）
  • 铬硅靶材（Cr-Si）
铬硅靶材（Cr-Si）基本信息
分子式Cr(98)Si(2)at%
纯度99.9%、99.95%
CAS号无单独 CAS
摩尔质量51.52 g/mol
密度约 7.15 ~7.25 g/cm³
熔点约 1850 ~1880 ℃
沸点~2672 ℃
溶解性（水）不溶于水；耐稀酸；可被浓氧化性酸侵蚀；熔融强碱缓慢腐蚀

铬硅靶材（Cr-Si）产品概况

Cr(98)Si(2) at% 铬硅合金靶，低硅型 CrSi 靶，灰黑色金属质感，粉末冶金热压 / HIP 制备。

  • 致密度 ≥98%，晶粒均匀；

  • 因为 Si 只有 2at%，薄膜特性更接近纯铬膜，少量硅加入用来：提升膜层抗氧化性、降低应力、改善附着力，同时电阻率小幅上升。

  • 可做圆靶、方靶，背板绑定无氧铜，用于 DC 磁控溅射。


铬硅靶材（Cr-Si）产品应用

薄膜应用：
1. 薄膜电阻：相比高硅 CrSi，该低硅配比电阻率偏低，用于中低阻值稳定薄膜电阻。
2. 装饰镀膜：五金、卫浴、钟表，Cr-Si 防护装饰膜，比纯铬膜抗氧化更好，不易发黄。
3. 扩散阻挡层：半导体 / 光学器件，薄阻挡层，阻挡金属元素扩散。
4. 防腐耐磨涂层：金属基材耐腐蚀保护层；也可通入 N₂反应溅射制备 CrSiN 薄膜。
5. 光学：遮光层、金属反射调控薄膜。

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