科泰新材料可提供“元索周期表”近乎全元素(除放射性元素外)的任意组合材料定制,
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| 铜钽靶材(Cu-Ta)基本信息 | |
| 分子式 | CuTa |
| 纯度 | 99.95%、99.99% |
| CAS号 | 无独立 CAS 号 |
| 摩尔质量 | 无固定摩尔质量 |
| 密度 | 随比例变化 |
| 熔点 | 无单一固定熔点,升温时铜先熔化,钽保持固态 |
| 沸点 | 无固定沸点 |
| 溶解性(水) | 不溶于水 |
铜钽(Cu-Ta)溅射靶材是铜基掺杂钽的复合金属靶材,通过粉末冶金、真空熔炼、塑性加工、精密机加工制备,可焊接铜 / 钼背板,用于 PVD 共溅射,一次性沉积 Cu-Ta 合金薄膜,替代 “双靶共溅” 方案。
微观:Cu 与 Ta 固溶度极低,组织为钽颗粒弥散分布在铜基体;钽偏聚在铜晶界,抑制铜晶粒高温长大,提升薄膜热稳定性、抗扩散能力。
形态:圆盘靶、矩形靶;可绑定铜背板;表面低粗糙度,低颗粒,严格控制晶粒尺寸与织构。
核心优势:一步溅射得到 Cu-Ta 薄膜,薄膜成分均匀;钽掺杂抑制铜原子扩散,提升铜互连可靠性。
| 铜钽靶材(Cu-Ta)产品应用 |
薄膜应用:
1. 半导体集成电路(最主要):先进制程芯片铜互连薄膜,Cu-Ta 薄膜作为改性铜导线层,抑制铜扩散,提升铜布线热稳定性、抗电迁移性能,用于逻辑芯片、存储芯片;区别于纯钽靶做 Ta/TaN 阻挡层。
2. 微电子薄膜、MEMS 器件:制备高稳定铜基导电薄膜、扩散阻挡改性层。
3. 薄膜电阻、电磁屏蔽涂层:Cu-Ta 薄膜兼具良好导电性与高温稳定性。
4. 科研:材料研发,研究纳米晶铜、晶界偏析、金属扩散机理。