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镍铬硅靶材（NiCrSi）

镍铬硅靶材（NiCrSi）
  • 镍铬硅靶材（NiCrSi）
镍铬硅靶材（NiCrSi）基本信息
分子式NiCrSi
纯度99.9%、99.95%、99.99%
CAS号无独立 CAS
摩尔质量无固定摩尔质量
密度8.3‑8.5 g/cm³
熔点1350‑1420 ℃
沸点无固定沸点
溶解性（水）不溶于水；可被强酸（硝酸、氢氟酸）腐蚀溶解

镍铬硅靶材（NiCrSi）产品概况

镍铬硅靶是在镍铬（NiCr）基础上添加硅元素的三元合金溅射靶材，硅元素显著提升薄膜热稳定性、抗氧化能力，降低电阻温度系数 TCR，解决传统 NiCr 薄膜高温易漂移、易氧化的缺陷。

  • 制备：真空感应熔炼（致密度高，晶粒均匀，优先选）；粉末冶金适合特殊配比。

  • 形态：圆靶、矩形靶、台阶靶；可铟焊绑定 Cu 背板。

  • 关键质控点：成分均匀性、氧含量 O≤200ppm、C、N 杂质、晶粒尺寸均匀；成分偏析会直接造成薄膜电阻不均匀。

  • 溅射方式：DC 磁控溅射优先，也可 RF 溅射。


镍铬硅靶材（NiCrSi）产品应用

薄膜应用：
1. 薄膜电阻（最核心）：高精度薄膜电阻器、片式电阻，TCR（电阻温度系数）可以做到接近零，替代传统 NiCr 靶，高温长期稳定性更好。
2. 半导体、集成电路：芯片薄膜电阻网络、传感器薄膜、隔离电阻元件。
3. 显示行业：TFT 电路薄膜电阻、传感器电极薄膜。
4. 精密电子仪器、通讯设备：高精度厚 / 薄膜电路，微弱信号检测器件。
5. 防护涂层：耐温抗氧化薄膜，中温环境耐腐蚀保护层。

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