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产品中心
PRODUCTS
高纯硅靶材（本征）Si
| 高纯硅靶材（本征）Si基本信息 | |
| 分子式 | Si |
| 纯度 | 99.999%、99.9999% |
| CAS号 | 7440-21-3 |
| 摩尔质量 | 28.086 g/mol |
| 密度 | 2.30‑2.33 g/cm³ |
| 熔点 | 1414 ℃ |
| 沸点 | 3265 ℃ |
| 溶解性（水） | 不溶于水、普通酸；溶于氢氟酸、热浓强碱 |
高纯硅靶材（本征）Si产品概况
本征硅靶，原料为区熔 / 直拉高纯无掺杂硅，分为本征单晶硅靶、本征多晶硅靶。
- 本征单晶硅靶：无晶界，薄膜颗粒少、均匀性优，成本高。
- 本征多晶硅靶：粉末冶金制备，晶粒多，成本相对低。
靶材形态：圆靶、方靶、旋转管靶；致密度≥98%；脆性大，一般铟焊绑定铜背靶散热。
重要工艺特点：本征硅电阻率高，只支持 RF 射频磁控溅射，不能 DC 溅射；反应溅射通入 O₂可生成 SiO₂薄膜，通入 N₂生成 Si₃N₄薄膜。
| 高纯硅靶材（本征）Si产品应用 |
薄膜应用：
半导体科研、MEMS 器件研发：溅射制备高纯本征非晶硅、多晶硅薄膜，用于器件机理研究、MEMS 微结构薄膜，要求杂质极低的场景。
光学镀膜：反应溅射制备 SiO₂介质膜、红外光学薄膜、增透膜、干涉滤光片；红外波段硅基光学涂层。
平板显示 TFT：实验线制备非晶硅有源层，高纯钝化、绝缘层薄膜。
光伏研发：薄膜硅电池、异质结电池实验室研发，本征钝化层薄膜。
传感器：MEMS 传感器、红外探测器、硅基光电器件，高纯硅功能薄膜。
锂电池研发：高纯度硅薄膜负极材料研究。
量子材料、凝聚态实验：低杂质硅薄膜，用于半导体基础科学实验
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