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PRODUCTS
- Product category
氮化硼坩埚(BN)
| 氮化硼坩埚(BN)essential information | |
| Molecular formula | BN |
| purity | 99.7% |
| CAS No | 10043-11-5 |
| Molar mass | 24.82 g/mol |
| density | h-BN 理论密度 2.1 g/cm³；坩埚制品实际密度 1.9–2.2 g/cm³（热压件），PBN 可达 2.15 g/cm³ |
| melting point | 约 2973 °C（氮气压力下）；常压下约 2500 °C 升华，无明确液态熔点 |
| boiling point | 无常规沸点；约 3000 °C 以下升华（部分资料标 3273 °C） |
| Solubility (water) | 不溶于水、稀酸；可被熔融碱（如 NaOH、KOH）分解；不溶于大多数有机溶剂 |
氮化硼坩埚(BN)Product overview
优异的耐热震性：热膨胀系数极低（~1×10⁻⁶/°C），可快速升降温不开裂
化学惰性强：与大多数金属熔体、玻璃熔液、稀土材料不润湿、不反应
自润滑 / 易脱模：类石墨层状结构，熔体不粘附，成品易取出
高温绝缘：电阻率 >10¹² Ω・cm，介电性能稳定
可加工性好：莫氏硬度仅 2，可车削、钻孔、加工成复杂形状
低污染：高纯 PBN 无烧结助剂，金属杂质极低，适合半导体级应用
| 氮化硼坩埚(BN)Product application |
1. 真空镀膜与蒸发源
电子束蒸发、热蒸发镀膜中的蒸发坩埚 / 蒸发舟
沉积金属、合金、氧化物薄膜时的材料容器
相比氧化铝 / 石英坩埚，不与蒸镀材料反应、无飞溅污染
2. 半导体与晶体生长
MOCVD / MBE 外延生长用 PBN 坩埚、PBN 衬底托
化合物半导体（GaAs、InP、GaN）单晶生长
稀土金属、活泼金属熔炼容器
3. 高温熔炼与冶金
贵金属（金、银、铂族）熔炼
玻璃、釉料、荧光粉的高温熔融
稀土材料、核材料的熔炼与烧结承载
4. 实验室与分析仪器
高温差热分析（DTA）、热重分析（TGA）样品皿
马弗炉、管式炉通用坩埚
原子吸收光谱（AAS）样品舟
5. 其他
高温炉隔热环、绝缘套管
等离子体放电管、喷嘴
锂电池固态电解质烧结载体
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