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氮化钪靶材（ScN）

氮化钪靶材（ScN）
  • 氮化钪靶材（ScN）
氮化钪靶材（ScN）基本信息
分子式ScN
纯度99.9%
CAS号25764-12-9
摩尔质量58.96 g/mol
密度4.40 g/cm³
熔点2600 ℃
沸点无明确沸点，高温优先分解
溶解性（水）不溶于水，但会和水缓慢发生水解反应：ScN + 3H₂O → Sc (OH)₃ + NH₃；不耐酸，遇酸快速水解

氮化钪靶材（ScN）产品概况

氮化钪（ScN）为岩盐型面心立方晶体结构，兼具金属导电特性与半导体特性，属于稀土氮化物陶瓷材料。 ScN 靶材多由高纯 ScN 粉体经真空热压 / 放电等离子烧结制备，靶材致密度、氧含量、晶粒均匀度是核心质控指标（氧、碳属于间隙杂质，会严重影响薄膜电学与外延质量）。 靶材形式：平面圆形 / 矩形靶，常规绑定无氧铜背板；以科研小尺寸靶为主，量产靶相对少。

氮化钪靶材（ScN）产品应用

薄膜应用：
1. GaN-on-Si 半导体外延缓冲层（最核心场景）：ScN 与 GaN 晶格失配极低，作为硅基上生长氮化镓的缓冲 / 种子层，大幅降低外延缺陷，用于功率器件、HEMT 高电子迁移率晶体管。
2. 热电薄膜材料：ScN 本身具有热电性能，可制备超晶格热电薄膜，用于中高温微型热电发电器件。
3. 半导体金属接触层、功函数调控层：在 HKMG 高 k 金属栅器件中做接触 / 界面层，热稳定性好，可稳定调控肖特基势垒高度。
4. 硬质耐磨、红外光学功能涂层：高硬度、耐高温，红外波段具备可调反射率，用于精密零部件防护涂层、红外光学薄膜。
5. 自旋电子、磁性半导体科研薄膜，MEMS、新型能量器件研究。

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