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碳化硅靶材(SiC)

碳化硅靶材(SiC)
  • 碳化硅靶材(SiC)
碳化硅靶材(SiC)基本信息
分子式SiC
纯度99.5%
CAS号409-21-2
摩尔质量40.097
密度3.22 g/cm3
熔点2830 °C
沸点
溶解性(水)

碳化硅靶材(SiC)产品概况

碳化硅靶材(SiC)产品应用

碳化硅是第三代半导体材料,具有带隙宽、热导率高、电子的饱和飘移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件和紫外探测器灯方面具有广泛应用场景。

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